IMC-105E-1-D备减少92%，电气接头减少90%。在降低成本、提0运维效率的基础上让开关设备更加安全，成为电力、食品饮料、数据中心等行业的理想选择。此外，iVD4®中压智能化解决方案也在展会中亮相，它实现了VD4真空断路器与传感器、监测单元的深度融合，一体化解决方案即装即用，帮助客户更加顺利直观地实现对开关设备状态的感知，精准评价体系提供针对性运维建议，为客户带来更0质、更可靠、更安全的智慧配电运行和管理体验。0电流型
电路拓扑结构在低压变频器的直流环节由于采用了电感元件而得名。输入侧采用可控硅移相控制整流，控制电动机的电流，输出侧为强迫换流方式，控制电动机的频率和相位。能够实现电机的四象限运行。

0电压型
前段引入降压变压器，将电网降压，然后连接低压变频器。低压变频器输入侧可采用可控硅移相控制整流，也可以采用二管三相桥直接整流，中间直流部分采用电容平波并储能。逆变或变流电路常采用 IGBT元件，通过SPWM变换，即可得到频率和幅度都可变的交流电，再经升压变压器变换成电机所需要的电压等级。需要指出的是，在变流电路至升压变压器之间还需要置入正弦波滤波器(F)，否则升压变压器会因输入谐波或dv/dt过大而发热，或破坏绕组的绝缘。该正弦波滤波器成本很0，一般相当于低压变频器的1/3到1/2的价格。
00变频
00变频器无需升降压变压器，功率器件在电网与电动机之间直接构建变换器。由于功率器件耐压问题难于解决，目前直接的做法是采用器件串联的办法来提0电压等级，其缺点是需要解决器件均压和缓冲难题，技术复杂，难度大。但这种变频器由于没有升降压变压器，故其效率较0低0方式的0，而且结构比较紧凑。
11矢量控制的0压变频器也已经在应用。
国外现状
国外各大的变频器生产商，均形成了系列化的产品，其控制系统也已实现全数字化。几乎所有的产品均具有矢量控制功能，完善的工艺水平也是国外的特点。在发达国家，只要有电机的场合，就会同时有变频器的存在。其现阶段发展情况主要表现如下：
① 技术开发起步早，并具有相当大的产业化规模。
② 能够提供特大功率的变频器，已超过10000KW。
③ 变频调速产品的技术标准比较完备。
④ 与变频器相关的配套产业及行业初具规模。
⑤ 能够生产变频器中的功率器件，如IGBT、IGCT、SGCT等。
⑥ 0压变频器在各个行业中被广泛应用，并取得了显著的经济效益。
⑦ 产品国际化，当地化加剧。
⑧ 新技术，新工艺层出不穷，并被大量的、快速的应用于产品中。
未来态势
交流变频调速技术是强弱电混合，机电一体的综合技术，既要处理巨大电能的转换（整流、逆变），又要处理信息的收集、变换和传输，因此它必定会分成功率和控制两大部分。前者要解决与0压大电流有关的技术问题，后者要解决的软硬件控制问题。因此，未来0压变频调速技术也将在这两方面得到发展，其主要表现为：
① 0压变频器将朝着大功率，小型化，轻型化的方向发展。
② 0压变频器将向着直接器件0压和多重叠加（器件串联和单元串联）两个方向发展。
③ 更0电压、更大电流的新型电力半导体器件将应用在0压变频器中。
④ 现阶段，IGBT、IGCT、SGCT仍将扮演着主要的角色，SCR、GTO将会退出变频器市场。
⑤无速度传感器的矢量控制、磁通控制和直接转矩控制等技术的应用将趋于成熟。
⑥ 全面实现数字化和自动化：参数自设定技术；过程自0化技术；故障自诊断技术。
⑦ 应用32位MCU、DSP及ASIC等器件，实现变频器的0精度，多功能。
⑧ 相关配套行业正朝着化，规模化发展，社会分工将更加明显。随着技术研究的进一步深入，在理论上和功能上国产0压变频器已经可以与进口变频器相比肩，但是受工艺技术的限制，与进口产品的差距还是比较明显。这些状况主要表现在如下几个方面：
① 国外各大的产品正加紧占领国内市场，并加快了本地化的步伐。
② 具有研发能力和产业化规模的逐年增加。
③ 国产0压变频器的功率也越做越大，目前国内的应用做到了20000KW。
④ 国内0压变频器的技术标准还有待规范。
⑤ 与0压变频器相配套的产业很不发达。
⑥ 生产工艺一般，可以满足变频器产品的技术要求，价格相对低廉。
⑦ 变频器中使用的功率半导体关键器件完全依赖进口，而且相当长时间内还会依赖进口。
⑧ 与发达国家的技术差距在缩小，具有自主知识产权的产品正应用在国民经济中。
⑨ 已经研制出具有瞬时掉电再恢复、故障再恢复等功能的变频器。
⑩ 部分厂家已经开发出四象限运行的0压变频器。随着现代电力电子技术及计算机控制技术的迅速发展，促进了电气传动的技术革命。交流调速取代直流调速，计算机数字控制取代模拟控制已成为发展趋势。交流电机变频调速是当今节约电能，改善生产工艺流程，提0产品质量，以及改善运行环境的一种主要手段。变频调速以其率，0功率因数，以及0异的调速和启制动性能等诸多0点而被国内外公认为有发展前途的调速方式。
以前的0压变频器，由可控硅整流，可控硅逆变等器件构成，缺点很多，谐波大，对电网和电机都有影响。发展起来的一些新型器件将改变这一现状，如IGBT、IGCT、SGCT等等。由它们构成的0压变频器，性能0异，可以实现PWM逆变，甚至是PWM整流。不仅具有谐波小，功率因数也有很大程度的提0。
行业特点变频器是一种使电动机变速运行进而达到节能效果的设备，习惯上把额定电压在3kV到10kV之间的电动机称为0压电机，因此一般把针对3kV至10kV0电压环境下运行的电动机而开发的变频器称为0压变频器。与低压变频器相比，0压变频器适用于大功率风电、水泵的变频调速，可以收到显著的节能效果。
随着节能环保需求的增加以及装备升级改造步伐的加快，中国0压变频器行业呈现稳步增长态势，市场规模从2005年的11亿元增至2011年的63亿元，年复合增长率达到35.4%；在变频器中的比重也从2006年的12.9%增至2011年的22.8%。2012年随着下业变频化率的提升，0压变频器市场增长速度有望达到34.92%。中国0压变频器行要有以下几个运行特点1.使用方法：
• 将 ACS 800、电机和相连设备正确接地，以便在任何情况下都能确保工作人员 的安全，并减少电磁辐射和干扰。 
• 确信接地导线的截面积足够大，以满足安全规范的要求。
• 多台 ACS 800 的接地端子不能串联连接。 
• 在符合欧洲 CE 标准和其它一些必须要减少 EMC 辐射的安装地点，电缆入口应 保持 360 度0频接地，以抑制电磁干扰。此外，电缆屏蔽层必须与保护接地线 (PE) 相连接，以符合安全规范。 • 在浮地或0接地电阻 （>30Ohms）的电力系统中 , 不要安装带有 EMC 滤波器 （可选件为 +E202 或 +E200 ) 的变频器。
2.只有具备资格的电气工程师才允许安装和维护传动单元。
• 禁止带电安装或维修传动单元、电机电缆或电机。在切断输入电源之后，应至 少等待 5 分钟，待中间电路电容放电完毕后再进行操作。 还应使用万用表 （阻抗至少为 1 兆欧）测量以确定 1. 传动输入相 U1,V1,W1 与柜架间的电压接近 0V. 2. 端子 UDC+ 和 UDC- 与柜架间的电压接近 0V. 
• 禁止在传动单元或外部控制电路带电时操作控制电缆。即使 ACS 800 主电源断 电，其内部仍可能存在由外部控制电路引入的危险电压。 
• 所有的绝缘测试必须在断开电缆连接的情况下进行。 
• 重新连接电机电缆时 , 应确保相序正确。注意 : 
• 不管电机是否运行，只要 ACS 800 传动的输入电源接通，电机电缆端子都会存 在危险的0电压。 
• 制动控制端子 (UDC+, UDC-, R+ 和 R- 端子 ) 带有危险直流0电压 ( 大于 500 V)。 
• 继电器输出端子 RO1 ~ RO3 在接通 115 V 或 220 V (230 V) 电压时，带有危险 0电压。此款CPU型号PM3328B-6-1-3-E用作控制器、I/O系统和专用模块，旨在满足灵活的工业解决方案的需求。除此之外，它还配备32KB的用户内存、4K I/O、8个机架和0.22msec/K的逻辑执行。它与以太网、各种总线模块和控制等0级模块兼容。该模块采用单一整体结构设计，非常适合数千种应用，如复杂的运动控制、采矿、水处理、电梯控制、0速包装、注塑、材料处理、食品加工、连续排放监测等。通过只配置所需的系统，可以节省关键空间并降低成本。此外，他还可以适应广泛的应用，例如：数字接口（用于按钮、开关、接近传感器、继电器、接触器和许多其他设备）、模拟模块（对于流量、温度或压力应用具有不同的分辨率），PM3328B-6-1-3-E直接连接接线或远程终端以及本地或远程I/O系统。
The CPU Model 350, acts as a controller, I/O system, and speciality module designed to meet the demands of flexible industrial solutions. Among other things, it comes with 32Kbytes user memory, 4K I/O, 8 Racks and a logic execution of 0.22msec/K. It is compatible with advanced modules such as Ethernet, various bus modules, and control. Designed in a single overall architecture, the system is well suited for thousands of applications, such as complex motion control, mining, water treatment, elevator control, high-speed packaging, injection molding, material handling, food processing, continuous emission monitoring and many more. By configuring just the system you need, you save critical space and reduce cost. Furthermore, IC693CPU350 can also be adapted to a wide range of applications such as: digital interfaces (for push buttons, switches, proximity sensors, relays, contactors and many other devices), analog modules (with varying degrees of resolution for flow, temperature or pressure applications), direct connect wiring or remote termination and local or remote I/O systems.1．冗余热备控制系统的功能 Schneider PLC冗余热备控制系统具有以下功能： ① 应用程序内存空间 ② 系统寄



存器 ③ 功能块 ④ 配置 ⑤ 前面板上的微型端子 ⑥ 应用数据的周期性传送 ⑦ 程序差异监控 ⑧ 确保PLC内存



内容的一致性 ⑨ 通信端口地址的自动交换 ⑩ 通信期间的自动交换机制

Since the advent of silicon thyristors in the 1950s, researchers of power semiconductor devices have made unremitting efforts to achieve the above ideal goals. In the late 1960s, the turnoff thyristor GTO realized the turnoff function of the gate and expanded the chopper working frequency to more than 1kHz. In the mid-1970s, high-power transistors and power MOSFETs came out, and power devices realized the field control function, opening the door to high-frequency applications. In the 1980s, insulated gate gated bipolar transistor (IGBT) came out, which integrates the functions of power MOSFET and bipolar power transistor. Its rapid development also inspires people to test the new power device that integrates the functions of power MOSFET and thyristor. Finally, some preliminary IGCT phase unit pulse tests are carried out on the test experimental platform, and some test results are selected to analyze the measured waveform. The test results show that the design of the test experimental platform is effective and reasonable. It can complete the test of IGCT power phase unit to assist the further research of IGCT devices, It lays a foundation for using IGCT devices to replace the existing IGBT devices of H-bridge unit in medium voltage frequency conversion.



An ideal power device should have the following ideal static and dynamic characteristics: in the cut-off state, it can withstand high voltage; In the on state, it can withstand high current and has a very low voltage drop; When switching, it has fast opening / closing speed, can withstand high di/dt and dv/dt, and should also have full control function..